電気・電子・半導体/関西の転職求人一覧

39件見つかりました
社名非公開

【滋賀】半導体製造装置のデータ分析・改善

★離職率低★
★ 世界トップシェア半導体メーカーの最先端スキルを手に★
★滋賀勤務★
給与
年収380 〜 500万円
職種
フィールドサービスエンジニア、カスタマーサービス
勤務地
滋賀
社名非公開

【兵庫】環境試験装置の置換開発および評価作業

★離職率低★
★世界トップシェアメーカー/常駐勤務/平均残業10h★
★兵庫勤務★
給与
年収450 〜 600万円
職種
回路設計、制御設計
勤務地
兵庫
社名非公開

ソフト 大阪【車載組込み】上流工程にチャレンジ可 要求分析テスト工程まで

★離職率低★
★【車載組込み】上流工程にチャレンジ可 要求分析テスト工程まで★
★大阪勤務★
給与
年収450 〜 600万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
大阪
社名非公開

兵庫 【車載組込み】上流工程にチャレンジ可

★離職率低★
★【車載組込み】上流工程にチャレンジ可 ★
★兵庫県勤務★
給与
年収450 〜 600万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
兵庫
社名非公開

兵庫【車載組込み】プロジェクトリーダー候補

★離職率低★
★【車載組込み】プロジェクトリーダー候補 ★
★兵庫県勤務★
給与
年収700 〜 900万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
兵庫
社名非公開

大阪【車載組込み PLポジション】

★離職率低★
★車載組込み PLポジション★
★大阪勤務★
給与
年収700 〜 900万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
大阪
社名非公開

ソフト 加古川【製鉄所内システム設計】

★離職率低★
★【製鉄所内システム設計】手に職を付けどんな時代も生き残るエンジニアに★
★兵庫県勤務★
給与
年収500 〜 800万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
兵庫
社名非公開

兵庫 【船舶系 組込み】プロジェクトリーダー候補

★離職率低★
★【船舶系 組込み】プロジェクトリーダー候補 ★
★兵庫県勤務★
給与
年収700 〜 900万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
兵庫
社名非公開

ソフト 西日本 OPEN 【実務経験者募集】

★離職率低★
★実務経験者募集★
★西日本勤務★(愛知/大阪/兵庫/京都/滋賀/熊本/鹿児島/沖縄)
給与
年収450 〜 700万円
職種
システム開発(組み込み・ファームウェア・制御系)
勤務地
京都 兵庫 大阪 愛知 沖縄 滋賀 熊本 鹿児島
社名非公開

Ceramic Material Process Engineer

1、ファインセラミックス、あるいはセラミックス電子デバイスの材料配合設計とプロセス開発業務;2、窒化アルミ(AlN)等のセラミック材料の改質研究・開発(熱・電気・機械性能等);3、セラミックスの試作と小ロット生産に関するプロセス開発とトラブルシューティング;4、技術トレンドを洞察し、技術仕様を定義する。(材料、プロセス、装置等の)業界能力分布を調査する。日本国内の協業資源を開拓し、技術パートナーおよびサプライヤーと協力関係を構築し、それを維持する;5、本社のチームと協力し、量産化に向けたトラブルシューティング等の技術サポートを行う。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
プロセスエンジニア, プロセス開発
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Advanced technology Researching and planning

1.高度なICT技術の調査情報通信の分野における高度な技術研究の洞察と分析業界、特に日本と韓国での技術研究の進歩についての洞察を継続し、当社のビジネスで会社の将来のビジネスの成功をサポートするために使用できる主要な技術的ブレークスルーを探します。洞察の分野は、通信、IT、および家庭用電化製品の分野における材料、プロセス、デバイス、アルゴリズムなどをカバーしています。2.インサイトは優れた技術プロトタイプを選別し、カウンターパーティ(大学/企業など)と共同で研究開発を行います(ビジネス向け)学界、展示会、フォーラム、その他のチャネルを通じて、洞察を得て、会社のビジネスの成功に大きな価値のある技術的なプロトタイプを検索します。社内のBGに優れたテクノロジーを宣伝します。共同研究、委託開発、その他の種類のプロジェクトを計画し、プロトタイプ技術を商業技術に昇格させ、将来の商業的成功を目指します。3.未来志向の製品やビジネスモデルを考え、実現できるブラックテクノロジーを探します。4.豊富な知識の始まり
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

サーボモータ制御駆動コンサルタント

サーバー等ICT製品にある冷却装置のモーターを研究開発。主にBLDC、SPMSM、IPMSM、アキシャルフラックスモーター、リニアモーター。応用条件と技術規格に最も現実性のあるモーターソリューションを提案。特に、高効率、高回転、高トルク密度のモータアプリケーション。高精度電磁場解析及びモーター最適化の指導及び完成。最新のモータ技術トレンドの洞察及び研究開発リソースの発掘
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Japan Car Industry Quality Expert

仕事内容1. 自動車のコンポーネントおよび実車の信頼性試験方法、試験設備に関連する知識と経験に基づき、自社が近い将来自動車の信頼性試験を実行するための提言を行う。下記詳細: ・電気自動車の各重要なコンポーネントの信頼性試験条件、設備 ・試作車、生産車の実車テストの設備と試験方法 ・信頼性試験にかかわる人材の要求条件や人数規模、実の企画と投入資金2. 日本における自動車産業の最先端の信頼性試験方法に対する情報や、業界の動向について情報を収集しレポートを提供する。下記詳細: ・OEM、部品メーカーなどの業界、業界団体などからの情報収集 ・大学、専門メーカー、試験設備メーカーなどからの情報収集 ・シミュレーション試験についてのノウハウ収集3. 電気自動車、電池などの開発技術、シミュレーション試験技術を持つエンジニアリング会社と協力して、信頼性試験実施のノウハウ、実行の際の具体的助言を得る方法のリサーチ。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

光ディスクストレージ信号処理リサーチエンジニア

1、光ディスクドライブの信号処理に精通し、新たな記録材料及びディスク構造用に新規アルゴリズムなどを開発し、その評価検証を行う。2、光ディスクドライブの記録再生、アナログフロントエンド、信号処理の全体的な設計とシミュレーションを行い、ドライブを実現する。4.キーワード:ブルーレイディスク(Blu-ray Disc)、アーカイバルディスク(Archival Disc)、フォトディテクタ(PDIC)、PRML
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
回路設計、制御設計
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Image Sensor Modeling Project Manager

・最先端のイメージセンサー技術およびカメライメージングシステムに対する応用に関する技術開発を行う。・ 次世代のイメージセンサ実現に向けた新たなセンサモデリングおよびセンサシミュレーション・プラットフォームの研究開発を行う。・レンズ設計や画像処理アルゴリズムの専門家と協業の上、写真画質およびビデオ画質改善のためのEnd to End シミュレーションシステムを開発する。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

【産業業界向け】半導体FAEエキスパート(東京/愛知/大阪)

★大手外資系企業★
★優良企業★
★エキスパート★
給与
年収1,200 〜 1,600万円
職種
フィールドアプリケーションエンジニア
勤務地
大阪 愛知 東京23区
社名非公開

Power Device Design Expert

・パワーデバイスの技術発展の動向を洞察し、新技術の評価導入、技術的ブレークスルー及び製品の実現、コア特許のパテントポートフォリオを担当し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザインモデリングと回路応用技術の研究と技術開発を担当し、デバイスの信頼性と故障解析、プロセスチームと協力してデバイスプロセスの最適化を行う。・パワーデバイスのデザイン開発フローの構築と最適化を担当し、高品質で高効率、かつ準拠可能な先進のパワーデバイス開発プラットフォームを構築できるようチームをマネジメントする。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Power Device Chief Scientist

・パワーデバイス分野における技術的競争力向上の第一責任者として、パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)の技術力構築及びチームビルディングを担当する。チームを率いて、製品の技術的競争力業界ナンバーワンを目指し、さらに競争力をキープしつつ、継続的にビジネスを成功へ導く。・パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における先端技術の初期研究と技術的なレイアウトを主導し、本部と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレークスルーを実現させる。・日本の良好なパワーデバイスのエコシステムと学術界を構築し、日本の優位性のあるパートナリソースに基づいて技術協力と技術的模索を行う。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Power Device Process Expert

・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のプロセスにおける研究開発と導入を担当し、プロセスの開発フローを制定し、潜在的なプロセス及び材料のリスクを特定してソリューションを提案し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。・デザインチームと協力し、デバイス構造の設計要件に基づいて、プロセスのリスクと実現可能性を評価し、プロセスと材料の視点からデバイス性能の最適化プランを提案する。・デバイスの性能要求に基づき、装置及び材料に応じて、プロセス装置の最適化や改造、及び個別プロセスの最適化を行う。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

High power GaN Laser Chip Expert

高出力GaNレーザーチップエキスパート業務内容・GaN系半導体レーザーのチップ設計、エピタキシャル成長、製造。・GaN系半導体レーザーのプロセス装置の選定と評価。・ GaN系半導体レーザー製造のプロセスフロー設計・GaN系半導体レーザの信頼性設計、性能最適化、故障解析、量産導入。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
プロセスエンジニア, プロセス開発
勤務地
大阪
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