Power Device Process Expert

求人詳細

・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のプロセスにおける研究開発と導入を担当し、プロセスの開発フローを制定し、潜在的なプロセス及び材料のリスクを特定してソリューションを提案し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。
・デザインチームと協力し、デバイス構造の設計要件に基づいて、プロセスのリスクと実現可能性を評価し、プロセスと材料の視点からデバイス性能の最適化プランを提案する。
・デバイスの性能要求に基づき、装置及び材料に応じて、プロセス装置の最適化や改造、及び個別プロセスの最適化を行う。

こんな方を求めています

経験・スキル

・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、最低10年以上の半導体プロセス経験のある方。直近の5年間にパワーデバイスプロセスの開発に従事した経験が必須条件。
・パワーデバイスのプロセス開発フローに精通し、少なくとも1つのコアプロセス知識(薄膜成長、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、オーミックコンタクト等)に精通していること。SiC MOSFET/SBD或いはGaN HEMT或いはSi IGBTのプロセス開発における重要な問題点とポイントを堪能し、パワーデバイスの故障現象に対してのプロセス分析を行い、解決策を提案できる。
・パワーデバイスの装置開発、改造と最適化の知識を持ち、デバイスの性能或いは量産要件に基づいて設備の評価、最適化及び改造ができる。
・良好なコミュニケーション能力、協調力、コーディネート力を持ち、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。

学歴

大学卒業以上

募集要項

職種

製品開発エンジニア

給与

年収 800 〜 2,000万円

賞与

-

雇用形態

正社員

雇用期間

期間の定めなし

試用期間

有り

就業時間

09:00～18:00

休日休暇

土曜日　日曜日　祝日

保険

健康保険　厚生年金保険　雇用保険

受動喫煙防止措置

敷地内禁煙

業種

電気・電子・半導体

※詳細はお仕事のご紹介時にお伝えします