製品開発エンジニアの転職求人一覧

58件見つかりました
社名非公開

【大手自動車ランプメーカー】【神奈川/伊勢原】Advanced Technical Leader or Engineer

・開発プロジェクトの開発計画及び進捗管理。・関係部署(光学、メカ、電子、生技、IP)との調整業務。・社内外でのテクノロジーを「推進」
給与
年収450 〜 580万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
神奈川
社名非公開

RDL/uBump Expert

Focusing on the FO-WLP/PLP technology developing and research. It is more desirable to have in-depth experience in RDL (redistribution layer) and uBump process and material technologies.For RDL, at least 5/5um line and space technical experience is required, 3/3um line and space 20um is desirable at the research level.For uBump, at least 40um pitch technical experience is required, 20um pitch is desirable at the research level.1. Leading RDL/uBump technology development with material and equipment companies.2. Have enough knowledge about photosensitive polyimide, photoresist, plating liquid and seed etching materials. Able to propose material property required to realize pitch reduction and lead material suppliers.3. Have enough knowledge about photolithography and lead equipment suppliers.4. Have more than 10 years experience in semiconductor industry like IDM, foundry, OSAT, material and equipment supplier.
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

3D stacking tachnology Expert

Focusing on the FO-WLP/PLP technology developing and research. It is more desirable to have in-depth experience in RDL (redistribution layer) and uBump process and material technologies.For RDL, at least 5/5um line and space technical experience is required, 3/3um line and space 20um is desirable at the research level.For uBump, at least 40um pitch technical experience is required, 20um pitch is desirable at the research level.1. Leading RDL/uBump technology development with material and equipment companies.2. Have enough knowledge about photosensitive polyimide, photoresist, plating liquid and seed etching materials. Able to propose material property required to realize pitch reduction and lead material suppliers.3. Have enough knowledge about photolithography and lead equipment suppliers.4. Have more than 10 years experience in semiconductor industry like IDM, foundry, OSAT, material and equipment supplier.
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

healthcare engineer

1.スマートウォッチや携帯電話などの製品に搭載されるヘルスケア測定モジュール/サブモジュール(心拍数PPG、心電ECG、血中酸素、血中成分測定など)の設計・開発を担当する2.製品の目標となる仕様要件に従い、チームとともに測定モジュールのシステム案分析、光学モジュールのシミュレーション、プロトタイプの光路構築などの設計を行い、モジュール/サブモジュールの製品への応用と最終的な商品化をサポートする
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Advanced technology Researching and planning

1.高度なICT技術の調査情報通信の分野における高度な技術研究の洞察と分析業界、特に日本と韓国での技術研究の進歩についての洞察を継続し、当社のビジネスで会社の将来のビジネスの成功をサポートするために使用できる主要な技術的ブレークスルーを探します。洞察の分野は、通信、IT、および家庭用電化製品の分野における材料、プロセス、デバイス、アルゴリズムなどをカバーしています。2.インサイトは優れた技術プロトタイプを選別し、カウンターパーティ(大学/企業など)と共同で研究開発を行います(ビジネス向け)学界、展示会、フォーラム、その他のチャネルを通じて、洞察を得て、会社のビジネスの成功に大きな価値のある技術的なプロトタイプを検索します。社内のBGに優れたテクノロジーを宣伝します。共同研究、委託開発、その他の種類のプロジェクトを計画し、プロトタイプ技術を商業技術に昇格させ、将来の商業的成功を目指します。3.未来志向の製品やビジネスモデルを考え、実現できるブラックテクノロジーを探します。4.豊富な知識の始まり
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

サーボモータ制御駆動コンサルタント

サーバー等ICT製品にある冷却装置のモーターを研究開発。主にBLDC、SPMSM、IPMSM、アキシャルフラックスモーター、リニアモーター。応用条件と技術規格に最も現実性のあるモーターソリューションを提案。特に、高効率、高回転、高トルク密度のモータアプリケーション。高精度電磁場解析及びモーター最適化の指導及び完成。最新のモータ技術トレンドの洞察及び研究開発リソースの発掘
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Japan Car Industry Quality Expert

仕事内容1. 自動車のコンポーネントおよび実車の信頼性試験方法、試験設備に関連する知識と経験に基づき、自社が近い将来自動車の信頼性試験を実行するための提言を行う。下記詳細: ・電気自動車の各重要なコンポーネントの信頼性試験条件、設備 ・試作車、生産車の実車テストの設備と試験方法 ・信頼性試験にかかわる人材の要求条件や人数規模、実の企画と投入資金2. 日本における自動車産業の最先端の信頼性試験方法に対する情報や、業界の動向について情報を収集しレポートを提供する。下記詳細: ・OEM、部品メーカーなどの業界、業界団体などからの情報収集 ・大学、専門メーカー、試験設備メーカーなどからの情報収集 ・シミュレーション試験についてのノウハウ収集3. 電気自動車、電池などの開発技術、シミュレーション試験技術を持つエンジニアリング会社と協力して、信頼性試験実施のノウハウ、実行の際の具体的助言を得る方法のリサーチ。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Image Sensor Modeling Project Manager

・最先端のイメージセンサー技術およびカメライメージングシステムに対する応用に関する技術開発を行う。・ 次世代のイメージセンサ実現に向けた新たなセンサモデリングおよびセンサシミュレーション・プラットフォームの研究開発を行う。・レンズ設計や画像処理アルゴリズムの専門家と協業の上、写真画質およびビデオ画質改善のためのEnd to End シミュレーションシステムを開発する。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

【大手車載インフォテインメント】【神奈川】光源開発リーダー

【部署の仕事概要】自動車用次世代ライティング商品の光源及び光源周辺技術の開発【職務内容】光源及び光源周辺技術の開発・評価と標準化エキスパートとしてプロジェクトへのサポート顧客及びサプライヤーとの光源デザインレビュー含めた折衝自動車用新光源の開発(マイクロLED, レーザー、等)
給与
年収500 〜 700万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
神奈川
社名非公開

包材設計・開発担当者/日系大手食品メーカー

健康栄養に関する新しい価値創出、事業開発に組織横断的に取り組むことができます
給与
年収580 〜 850万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
神奈川
社名非公開

Power Device Design Expert

・パワーデバイスの技術発展の動向を洞察し、新技術の評価導入、技術的ブレークスルー及び製品の実現、コア特許のパテントポートフォリオを担当し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザインモデリングと回路応用技術の研究と技術開発を担当し、デバイスの信頼性と故障解析、プロセスチームと協力してデバイスプロセスの最適化を行う。・パワーデバイスのデザイン開発フローの構築と最適化を担当し、高品質で高効率、かつ準拠可能な先進のパワーデバイス開発プラットフォームを構築できるようチームをマネジメントする。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Power Device Chief Scientist

・パワーデバイス分野における技術的競争力向上の第一責任者として、パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)の技術力構築及びチームビルディングを担当する。チームを率いて、製品の技術的競争力業界ナンバーワンを目指し、さらに競争力をキープしつつ、継続的にビジネスを成功へ導く。・パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における先端技術の初期研究と技術的なレイアウトを主導し、本部と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレークスルーを実現させる。・日本の良好なパワーデバイスのエコシステムと学術界を構築し、日本の優位性のあるパートナリソースに基づいて技術協力と技術的模索を行う。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

Power Device Process Expert

・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のプロセスにおける研究開発と導入を担当し、プロセスの開発フローを制定し、潜在的なプロセス及び材料のリスクを特定してソリューションを提案し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。・デザインチームと協力し、デバイス構造の設計要件に基づいて、プロセスのリスクと実現可能性を評価し、プロセスと材料の視点からデバイス性能の最適化プランを提案する。・デバイスの性能要求に基づき、装置及び材料に応じて、プロセス装置の最適化や改造、及び個別プロセスの最適化を行う。
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

R&I Product Development Manager at global food company

R&I Product Development Manager at Global food companyABOUT THE JOB• The product development manager is responsible to manage the development, implementation and launch process for renovation, innovation, cost improvement and quality related projects for the brand under his/her accountability in accordance with our mission and principles.Requirements:- Technical Skills and Experiences required• Minimum 5yrs experience in a related field.
給与
年収700 〜 1,100万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
群馬
社名非公開

リードエンジニア(フロントエンド)

SUMMARY: 当該チームでは企業のエンジニア組織の内製化を目指しており、組織立ち上げから参画していただくコアメンバーになれます。 大手金融系企業のソフトウェアを内製化し、素早くブラシアップさせていきます。エンジニアとしてのキャリアの幅を広げていただけるチャレンジングなエンジニアとしてのキャリアの幅を広げていただけるチャレンジングなポジションです。
給与
年収1,100 〜 1,200万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区
社名非公開

III-V Compound Semiconductor Expert

Focusing on the III-V Compound Semiconductor technology developing and research.1. Leading technology business planning and strategic planning. Ensure the technical direction accurate and sustainable.2. Leading advanced III-V Compound Semiconductor technology projects developing, researching and application.3. Leading technology specifications / standards / supplier technology capacity building or proposing industry standard building and technology research projects.
給与
年収600 〜 1,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区
社名非公開

Power Device Chief Scientist

・パワーデバイス分野における技術的競争力向上の第一責任者として、パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)の技術力構築及びチームビルディングを担当する。チームを率いて、製品の技術的競争力業界ナンバーワンを目指し、さらに競争力をキープしつつ、継続的にビジネスを成功へ導く。・パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における先端技術の初期研究と技術的なレイアウトを主導し、中国本部と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレークスルーを実現させる。・日本の良好なパワーデバイスのエコシステムと学術界を構築し、日本の優位性のあるパートナリソースに基づいて技術協力と技術的模索を行う
給与
年収800 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
大阪 神奈川
社名非公開

EV向けリチウムイオン電池のセル材料開発エンジニア

EV向けリチウムイオン電池のセル材料開発をお任せします・顧客向け材料図面の作成・サプライヤ対応(材料仕様の相談、試作・実験依頼等)・社内試作・評価等の計画、実行(試作・評価の実務は派遣の方にお願いしています)∟正電極、媒体などの部材ごとに担当いただきます。∟直近にて複数顧客のプロジェクトが確定し、本格的な開発業務が複数同時並行でスタートしています。 ご入社いただく方には、弊社開発部門のコア人材として、派遣の方々との協業や中国の開発部門との連携、サプライヤー対応等を進めていただきます。∟材料開発は幅広い知識や経験から、多角的な視点での設計が必要となります。弊社では、エンジニア育成を目的に、定期的な業務ローテーションを2~3年毎に計画しています。 業務範囲:材料開発/電極設計/セル開発/工程設計 等◆魅力点弊社は、日本を代表する電池メーカーとしてEV用電池を製造できる技術基盤がしっかりと構築されています。バッテリーの実用化を皮切りに、全世界の自動車OEMおよびその他の顧客に向けたバッテリー製品を開発しています。顧客の範囲や用途は幅広く、グローバルに活躍の場が用意されています。今後、市場拡大が期待できる電気自動車の基幹部品のリチウムイオン電池の先行開発から量産開発まで幅広い範囲での開発にかかわる事ができます。また、担当業務は日進月歩の技術進化を遂げているため、自己専門性をより深めることが可能です。
給与
年収400 〜 1,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
茨城
社名非公開

R&D Package Expert Manager

・消費者/顧客のニーズ、地域規制、および当社のグローバル品質基準を満たすパッケージ開発を管理するポジションです。・当社が2030年を目標に定めたパッケージの持続可能性に関する目標の達成を目指します。・また、バリュー・リーダーシップ・プログラムを通じてコストを最適化し、効率改善のための継続的なプロセス最適化を実践していただきます。・主な社内ステークホルダ:Demand Functions (Marketing, Sales and DC), R&D, Commercial, SCM, EMQA,アジア地域パッケージ担当及びグローバル担当者・主な社外ステークホルダ:Co-packer, Co-mans, suppliers
給与
年収800 〜 1,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区
社名非公開

【Web3.0 Startup】CTO候補

立ち上げ期には東証プライム上場を果たした大手ゲーム企業
AI×ブロックチェーンの研究開発にも力を入れており、直近でリリースを予定しているゲームではクイズ生成AIの開発をしております
CEOは過去2度、IPOに成功している優秀な経営者で、今回のスタートアップも2027年でのIPOを目指している
給与
年収800 〜 1,500万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区
表示数:
  • /3

最近チェックした求人

エリアで絞り込む

関東エリア
北海道・東北エリア
関西エリア
ログアウト