製品開発エンジニアの転職求人一覧

87件見つかりました
社名非公開

設計開発エンジニア @ 国内上場半導体メーカー

【募集背景/募集理由】当社は今後の情報化社会の根幹を支えるCPO/シリコンフォトニクス技術の核として期待される量子ドットレーザ、多種多様な工業製品の精緻な加工や検査に欠かせない短パルスDFBレーザ、フローサイトメータや蛍光顕微鏡用光源などに使用される小型可視レーザなど、当社独自の技術を進化させた、社会貢献度の高い様々な半導体レーザ製品を開発・販売しています。これらの新しい半導体レーザ製品は、当社独自のコア技術群と、業界唯一のセミファブレス体制を基盤として生み出されています。近年、顧客数および製品ラインアップは着実に拡大しており、今後さらに多様化する顧客ニーズに応え、新たな半導体レーザ製品を継続的に生み出していくためには、セミファブレス体制を支える半導体レーザの生産・開発体制のさらなる強化が不可欠となっています。当事業拡大、及び体制強化のため上記の背景から、今後の事業拡大とさらなる成長を実現するため、半導体レーザの開発から生産技術、量産化まで幅広く携わり、当社の技術・製品開発を牽引していただけるエンジニアを募集します。【業務内容】・シリコンフォトニクス用1300nm帯量子ドットレーザ、加工用1020-1180nm DFBレーザおよびバイオメディカル用532-594nm小型可視レーザの高性能化・高機能化のためのチップ開発(具体的業務は以下)。[1] シリコンフォトニクス用1300nm帯量子ドットレーザシリコンフォトニクス用光源としてFP・DFBレーザともに高温・広温度範囲での高出力化が求められており、そのチップの開発・設計業務[2] 加工用1020-1180nm DFBレーザナノ秒パルス駆動時の高出力化やピコ秒パルスレーザの更なる短パルス化を実現するチップの開発・設計業務[3] バイオメディカル用532-594nm小型可視レーザ波長ラインナップの拡充や高出力化・高信頼性チップの開発・設計業務・半導体レーザチップ設計、ウェハプロセス設計および評価・チップファンドリへの指示 ・顧客からの問合せに対する技術対応
給与
年収700 〜 950万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
神奈川
社名非公開

【千葉】材料開発(高分子・反応系樹脂)◆プライム上場/在宅可

フレックスタイム制
給与
年収600 〜 800万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
千葉
社名非公開

【平塚】樹脂製品の量産開発/プライム上場売上高1兆大手メーカー/語学力が活かせるポジション

フレックスタイム制
給与
年収550 〜 800万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
神奈川
社名非公開

【栃木】材料開発(次世代通信向け高機能銅箔)◆プライム上場/無機に関する知見をお持ちの方へ

フレックスタイム制
給与
年収600 〜 900万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
栃木
社名非公開

Forward Deployed Engineer@戦略コンサル×音声プラットフォーム企業

・API設計・連携、LLM・RAG・音声認識などの要素を組み合わせた新ユースケースのアーキテクチャ設計・複雑な非構造データを処理する解析パイプラインの最適化・汎化設計・クライアント課題をもとにした高速PoC〜MVP開発・OpenAI / Anthropic / Vertex AI など各種モデルを用いたLLM統合・パフォーマンス検証・新しい対話解析ユースケースの技術検証・再利用可能な仕組み化
給与
年収1,200 〜 2,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区
社名非公開

AI・クラウドサービスデリバリーエンジニア@大手通信企業

企業向けシステム開発において、生成AI、クラウド、データ統合基盤などの最先端技術を駆使し、顧客のDX推進および業務改革を実現するためのSE支援を提供
給与
年収600 〜 1,000万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区
社名非公開

【埼玉】半導体素材の開発・解析・評価~年休124日/世界トップクラスシェア半導体材料メーカー

≪世界トップクラスの技術!≫先輩社員がOJTを通して教育し、業務をサポートしていくので、経験が浅くても安心してスキル習得ができます。社内の基礎・専門研修の他に、社外研修も活用して専門技術を習得していき
フレックスタイム制
給与
年収540 〜 710万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

Mechanical System Lead Engineer

Hybrid working style available.
Drive high-impact innovations in the rapidly expanding electric vehicle sector.
給与
年収1,000 〜 1,200万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区,神奈川
社名非公開

Hardware Lead Engineer * Yokohama *up to 12M

Hybrid/ remote working style available.
High-impact leadership role with competitive compensation.
給与
年収1,000 〜 1,200万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
東京23区,神奈川
社名非公開

【吸着材料の材料開発】◆プライム上場◆在宅・フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収650 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

【ハイブリッドナノ材料開発(無機粒子×有機系素材)】◆新規事業化◆プライム上場◆在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収650 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

【大阪/三重】半導体パッケージ用電子材料、シート材料の開発・設計

フレックスタイム制度有り、リモートワーク要相談
独身寮(入寮期間29歳の2月末まで)、社宅・住宅費補助、保養施設、医療施設 等
給与
年収500 〜 800万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
三重,大阪
社名非公開

【全固体電池用固体電解質の新規事業化推進】◆在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収650 〜 1,300万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

【半導体向け接合材料の開発担当】◆プライム上場◆在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収650 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

【分析担当(ICP分析)】◆基礎評価研究所◆在宅フレックス有で柔軟な働き方◆東証プライム

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収650 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

【オープンポジション(次世代電池材料研究開発)】◆東証プライム◆在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収610 〜 1,500万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

太陽電池材料の研究開発◆在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収650 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

硫化物固体電解質の製品開発/在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収610 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

有機無機複合材料開発・有機分子変換触媒】◆プライム上場/在宅フレックス有

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収550 〜 880万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
社名非公開

【埼玉・上尾】イオン感応膜を利用したセンサ開発◆◆フレックスタイム制

フルフレックス制/在宅勤務制度あり
給与
年収535 〜 825万円
職種
製品開発エンジニア
勤務地
埼玉
表示数:
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