Power Device Chief Scientist

求人詳細

・パワーデバイス分野における技術的競争力向上の第一責任者として、パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)の技術力構築及びチームビルディングを担当する。チームを率いて、製品の技術的競争力業界ナンバーワンを目指し、さらに競争力をキープしつつ、継続的にビジネスを成功へ導く。
・パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における先端技術の初期研究と技術的なレイアウトを主導し、本部と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレークスルーを実現させる。
・日本の良好なパワーデバイスのエコシステムと学術界を構築し、日本の優位性のあるパートナリソースに基づいて技術協力と技術的模索を行う。

こんな方を求めています

経験・スキル

・半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低10年以上のパワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における研究開発経験と技術マネジメントの経験のある方。
・高度かつ先進的でグローバルな視野を持ち、業界における技術の発展傾向を正確に判断して技術的なレイアウトを行い、先端技術の発展をリードできる。豊富な技術研究と製品開発経験を持ち、成功を収めた複数の製品に関して、製品競争力が業界トップクラスである。
・良好なコミュニケーション能力、調整力、及びチームマネジメントスキルがあり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。

学歴

大学卒業以上

募集要項

職種

製品開発エンジニア

給与

年収 800 〜 2,000万円

賞与

-

雇用形態

正社員

雇用期間

期間の定めなし

試用期間

有り

就業時間

09:00～18:00

休日休暇

土曜日　日曜日　祝日

保険

健康保険　厚生年金保険　雇用保険

受動喫煙防止措置

敷地内禁煙

業種

電気・電子・半導体

※詳細はお仕事のご紹介時にお伝えします