社名非公開

High power GaN Laser Chip Expert

求人の要約

給与
年収 800 〜 2,000万円
職種
プロセスエンジニア, プロセス開発
勤務地
大阪
Japan

求人詳細

高出力GaNレーザーチップエキスパート
業務内容
・GaN系半導体レーザーのチップ設計、エピタキシャル成長、製造。
・GaN系半導体レーザーのプロセス装置の選定と評価。
・ GaN系半導体レーザー製造のプロセスフロー設計
・GaN系半導体レーザの信頼性設計、性能最適化、故障解析、量産導入。

こんな方を求めています
経験・スキル
・学士号以上
・440-465nm(青)または520-535nm(緑)半導体レーザーのチップ設計、エピタキシャル成長  またはプロセス開発の実績がある方。
・高出力青色または緑色レーザーチップの量産経験があれば尚可。
学歴
大学卒業以上
募集要項
職種
プロセスエンジニア, プロセス開発
給与
年収 800 〜 2,000万円
賞与
-
雇用形態
正社員
雇用期間
期間の定めなし
試用期間
有り
就業時間
09:00~18:00
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
受動喫煙防止措置
敷地内禁煙
業種
電気・電子・半導体

※詳細はお仕事のご紹介時にお伝えします

ランスタッドは、すべての⼈に平等に機会が与えられ、その可能性を引き出し、多様な経験と個性を社会の発展につなげていけるようサポートしていきます。

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