Power Device Design Expert

求人詳細

・パワーデバイスの技術発展の動向を洞察し、新技術の評価導入、技術的ブレークスルー及び製品の実現、コア特許のパテントポートフォリオを担当し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザインモデリングと回路応用技術の研究と技術開発を担当し、デバイスの信頼性と故障解析、プロセスチームと協力してデバイスプロセスの最適化を行う。
・パワーデバイスのデザイン開発フローの構築と最適化を担当し、高品質で高効率、かつ準拠可能な先進のパワーデバイス開発プラットフォームを構築できるようチームをマネジメントする。

こんな方を求めています

経験・スキル

・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、最低8年以上のパワーデバイス分野(SiC/GaN/Si)の研究・技術開発の経験を持ち、直近の5年間におけるパワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発に従事した経験が必須条件。複数の製品の成功経験があり、該当製品が業界トップレベルの製品競争力を有する。
・パワー半導体デバイスの原理に精通し、一つ又は複数のプロセスプラットフォームのモデルパラメータ抽出に精通していること。さらにデバイスのモデルを確立し、デバイスの電気性能シミュレーション最適化と構造デザインを完成させ、デバイスの信頼性分析と特性テストの方法に精通していること。
・良好なコミュニケーション能力、協調力、コーディネート力を持ち、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。

学歴

大学卒業以上

募集要項

職種

製品開発エンジニア

給与

年収 800 〜 2,000万円

賞与

-

雇用形態

正社員

雇用期間

期間の定めなし

試用期間

有り

就業時間

09:00～18:00

休日休暇

土曜日　日曜日　祝日

保険

健康保険　厚生年金保険　雇用保険

受動喫煙防止措置

敷地内禁煙

業種

電気・電子・半導体

※詳細はお仕事のご紹介時にお伝えします