社名非公開
【東京/栃木/宮城】フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニア◇東証プライム上場/機能性材料メーカー
求人の要約
フレックスタイム制/在宅勤務あり
- 給与
- 年収 650 〜 1,500万円
- 職種
- 回路設計、制御設計
- 勤務地
- 東京23区,栃木,宮城
求人詳細
~世界シェアトップクラスを誇る製品を多数/東証プライム上場~
■業務概要:
フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大を目指し、現在複数の研究開発が進められています。2026年へ向けて高速PDとPIC、更に2030年を目標にCPO(Co-packaged Optics)に関わる開発を推進している段階です。
この度、光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための人員増強として、フォトニクスデバイス開発経験者、またはフォトニクスデバイスと電気デバイスの複合実装設計経験者を募集いたします。
■業務内容:
(1)化合物半導体による高速受光器の開発
FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析を行う。
(2)設計環境整備、評価環境整備
シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新を行う。
■入社後のキャリアについて:
これまでのご経験を活かして、化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成をお願いしたいです。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきたいです。また、当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートも考えております。
- こんな方を求めています
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- 経験・スキル
- ■必須条件:
下記のいずれかを有し、海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事が必須となります。
・半導体物性・波動光学の知見
・半導体デバイス・光導波路の設計/評価経験
・光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験
・高周波回路の設計/測定経験
■歓迎条件:
・光イーサネット・光コヒーレント通信方式に関する知識
・システム全体での回路解析シミュレーション経験
・光半導体デバイスの作製経験 - 学歴
- 高等学校卒業以上
- 募集要項
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- 職種
- 回路設計、制御設計
- 給与
- 年収 650 〜 1,500万円
- 賞与
- -
- 雇用形態
- 正社員
- 雇用期間
- 期間の定めなし
- 試用期間
- 有り
3ヶ月 - 就業時間
- 08:30~17:30
- 休日休暇
- 日曜日,土曜日,祝日
完全週休2日制(土日、祝日、年末年始) 有給休暇17日~24日(入社時より付与) 年間休日数128日 フレックスホリデー(個人で設定できる連続休暇制度) 特別休暇、慶弔休暇等 - 諸手当
- 通勤手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度
- 保険
- 健康保険,厚生年金保険,雇用保険,労災保険
- 待遇・福利厚生
- 退職金制度
財形貯蓄制度
借上住宅制度(対象基準あり)
従業員持株会
JTBベネフィットえらべる倶楽部
リモートワーク制度 - 業種
- 化学・素材
※詳細はお仕事のご紹介時にお伝えします
ランスタッドは、すべての⼈に平等に機会が与えられ、その可能性を引き出し、多様な経験と個性を社会の発展につなげていけるようサポートしていきます。